伽玛大讲堂（第18期）：抗辐照碳化硅高时间分辨探测器

报告人介绍：

史欣，中国科学院高能物理研究所特聘青年研究员，博士生导师。2011 年毕业于美国康奈尔大学获得博士学位。 2011 年至 2015 年， 分别在台湾大学以及普渡大学做博士后。2015年获得中国科学院人才计划，2016年入选国家人才计划。研究方向是抗辐照半导体探测器研发以及对撞机上新物理的寻找。负责中国组 ATLAS 实验硅微条探测器升级项目，同时作为国际抗辐照半导体探测器合作组（RD50）高能所负责人开展新型抗辐照半导体材料探测器的研发。

报告摘要：

硅基快时间探测器近年来在高能物理、核物理、空间探测等领域得到广泛应用。然而，硅探测器运行在辐照环境往往需要庞杂的低温系统，且随着辐照剂量增加，探测性能也随之下降。碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料，相比硅具有禁带宽、原子位移阈能高、导热率高以及载流子饱和漂移速度快等优点，有潜力研制成抗辐照、耐高温的高时间分辨探测器。本报告将介绍4H-SiC-PIN探测器的快时间测量（94ps）以及4H-SiC-LGAD的研制，通过仿真预测其时间分辨可达35ps。